多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下: (1)粗硅粉碎的目的是 .分離SiHCl3 的方法為 . (2)900℃以上. H2與SiHCl3發(fā)生如下反應:SiHCl3 Si ΔH 0.其平衡常數表達式為K
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解答:解:(1)固體表面積越大,化學(xué)反應速率越快,粗硅粉碎的目的是增大接觸面積工業(yè)上廣泛采用的合成硅烷方法是讓硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應得到硅烷,
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多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下:(1)粗硅粉碎的目的是 .分離SiHCl3的方法為 .(2)900℃以上.H2與SiHCl3發(fā)生如下反應:SiHCl3(g)+H2,△H0.其平衡常數表達式為K=
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